MOSFET 工作区域有截止区、饱和区、线性区,现对MOSFET进行直流仿真,描绘 VDS 与 ID; VGS 与 ID 的关系曲线
提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考
文章目录
一、基本知识
1. 场效应管
场效应管工作区域条件
截止区:VGS<VTHID=0VGS<VTHID=0
线性区:VGS≥VTH;0≤VDS≤VDS,sat=VGS−VTHVGS≥VTH;0≤VDS≤VDS,sat=VGS−VTH
深度线性区:VGS≥VTH;0≤VDS<<2(VGS−VTH)VGS≥VTH;0≤VDS<<2(VGS−VTH)
饱和区:VGS≥VTH;VDS>VDS, sat =VGS−VTHVGS≥VTH;VDS>VDS, sat =VGS−VTH
2.输入 输出特性曲线 (这也是我们要绘制的曲线)
输入特性曲线
输出特性曲线
二、Virtuoso Schematic Editor 电路图常用命令
- 快捷键 i 添加器件
- 添加连接线 w/W 细线或者粗线
- 添加标签 l
- 添加端口 p
- 删除器件 d
- 修改器件参数属性 q
- 移动、拷贝器件 m/c 先按字母再选中器件拖动
三、电路图的绘制
1.建立自己的数据库
点击file ——>library / cell view 新建设计库/单元 View,我自己创建的就是设计库jiu, 单元 View为 V-I_curve
2.添加元器件 快捷键 i
点击Browse 添加元器键 放大管 直流电源vdc、gnd、vdd,
注意直流电源vdc gnd、vdd 在analoglib ,直接cell那里搜索就可以符号名字就可以了
3.编辑元器件参数
分别点击直流源 按q 把DC voltage 分别设计为vgs 、vds
4.对元器件进行连线 快捷键w 点击端点连接
5.检查并保存
显示没有warnning 就可以,如果出现warnning要去检查线有没有接好
四、仿真 VDS 与 ID特性曲线
1.进入仿真软件 Launch - -> ADE_L
2.设计变量 点击Variables —>Copy From Cellview 设置Vds = 1.2v, vgs = 1v
3.添加仿真分析 Analyse —> choose----> dc
勾选保存直流工作点
variable Name 下面 挑选设计变量 选择vds
扫描类型区间 选择 0V~1.8v
扫描类型选择 线性变化 步长 0.1v每步
点击ok
4.添加输出变量 Output
选择节点—从设计图上选择—点击漏级那个红点—在output一栏输出NM0/D
点击漏级那个红点,在点击线,分别添加漏级电流电压
一定要注意选择导线是电压,选择节点是电流,这个一定要记得
在仿真页面output 出现两项
4.按绿色按钮开始仿真
5.查看波形
出现波形vgs=1v, vds从0-1.8v时候的Id电流变化曲线
6.器件参数扫描曲线族 tool----> Component parameter----设置后点击绿色的按钮
器件参数扫描的是 VGS,也就是说看不同VGS情况下,所对应VDS与ID之间的关系,是曲线族,如果不参数扫描的话就是一条曲线。
1)点击tool
2)设置参数
3)查看波形(同上)
点击漏级点出现波形
描绘的是vds从0-1.8v,vgs从0-1.6v与id电流关系曲线
7.绘制Vgs与ID的关系曲线
1)返回仿真页面 ,重新设置参数,把sweep variable 改成 vgs ,扫描长度为 0~1.6V
2)右击重新设置输出变量
同上选择输出漏级电流和输入栅源电压
一定要注意选择导线是电压,选择节点是电流,
界面变这样
3)开始仿真 按绿色按钮
4)查看波形操作 同上
波形显示的是vgs为0-1.6v,vds为1.2v的id电流曲线,与设置的参数值一样