速度饱和问题

Polestar-Volvo

在短沟器件中，容易发生速度饱和。速度饱和的概念是由于Leff过小，导致VDS不需要达到Vgs-Vth，就能在沟道产生很大的横向电场，导致载流子速度达到了临界值，从而电流提前饱和了。
我有以下的疑问：

1.假设采用了以下的模型，简单地把电阻区和速度饱和区表达式相等，得到交界处的值VDsat，可以很容易推出VDsat<Ec×L，也就是VDsat对应的电场强度要小于临界场强，那这个VDsat作为一个拟合参数，有什么实际意义吗？

2.速度饱和和夹断是两个不同的概念，假设晶体管发生了速度饱和，但是沟道还没有夹断，我此刻再增加VDS，这时候的电流表达式是I=Q×Vsat=Vsat*Cox*W*[(Vgs-Vth)Vds-0.5vds^2]吗？

3. 根据1的疑问，图中3.34这个式子：IDsat=Vsat*Cox*W(Vgs-Vth-VDsat)，这里的电荷量、VDsat取值是否合理？

个人想法：对于一个不准确的模型，仅仅用一阶近似，大部分只能给出一个趋势预测，比如这里的电阻区和速度饱和区，交界处必然不是简单的相等关系，需要有更复杂的模型才能解释，最近在这上面花了很长时间的思考，但是并不觉得很有深入研究的必要。。。

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NJU_EE

可以看下 半导体器件 课程（复旦的蒋玉龙）