在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1736|回复: 1

[讨论] 电容与MOS管

[复制链接]
发表于 2021-9-23 16:50:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
NW电容和NMOS源漏接地做电容,两者有什么区别?在特定工艺下,可以通过NMOS替换NW电容来压缩面积,那么哪些电容是可以被替换的呢?
发表于 2021-9-23 18:26:54 | 显示全部楼层
如果D、S、B均接地,Gate接高电位,那么nmos电容在反型时电容会减小,到了强反型区才会保持最大电容,如果该点电压较低,在mos管阈值附近,那么容值变化就很大,可能会影响到延时之类的参数;而capnmos只要gate接高电位,容值保持不变。
个人是这样理解的,不知道对不对
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-30 12:31 , Processed in 0.021257 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表