tsmc 工艺中pmos-rf管的NW层为什么有两个框？

wild-mountain · 发表于 2021-9-12 12:17:02

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tsmc 工艺中nmos-rf和pmos-rf如图所示：

只看它们的nw层，如图所示：

mos-rf -nw

nmos-rf用path画一个框，用作ring，可以理解。但pmos-rf，按我的理解，
用一个rect框出nw区域即可，但实际上为什么是两个矩形框，怎么理解？

模拟后端的小白 · 发表于 2021-9-12 15:37:22

看不清楚

wmchpu · 发表于 2021-9-12 16:12:09

要结合DNW一起看吧，不加那个大的会有DRC的问题吧。小的应该是一个通用的cell里面带的，但因为有DNW，后面又补了一个大的。

rayn_nene · 发表于 2021-9-13 08:47:21

有没有可能只是画的方式不一样……你看两个nw中间的面积是一样的吧，有没有可能是一个画的矩形然后从中间扣掉一部分，另一个是用path画的，path一般中间不都是有一个中心线么

刚会飞的菜鸟 · 发表于 2021-9-13 10:48:09

本帖最后由刚会飞的菜鸟于 2021-9-13 10:49 编辑

应该是有DNW,这个NW包DNW的，0.11的工艺NW宽度应该是3.5，40nm的应该是1.4，其他就不知道了，你可以查看design rule

Quinn714 · 发表于 2021-9-13 13:52:44

最简单直接的办法 pdk里找出管子的剖面图或者自己把器件打散一层层最对比就出来了

DemoYe · 发表于 2021-9-13 13:59:41

NW 显示换个填充满的样子，看起来像NW扣掉一块。

wild-mountain · 发表于 2021-9-19 23:10:41

@刚会飞的菜鸟，我觉得你说的对，非常感谢！

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