cell的驱动能力如何在layout体现

qgc123456

版图小白有三个问题，求大神解答。
问题一：cell的驱动能力是如何在layout中体现的？比如如下的两个反相器的layout，一个是INVD0，一个是INVD1。看起来就是有源区多打了孔？增加驱动能力就是通过这种方式吗？别的cell也是如此吗？
问题二：我的库里这些cell只有版图没有原理图，这是为什么？同一个器件，不同驱动能力的版图不一样，那原理图有区别吗？
问题三：有办法能通过cell的版图自动生成其原理图吗？
因为我要自己建库，要画每个cell的版图，希望大神能解答一下，非常感谢！

lizexc

第一:cell的驅動大小，是由diff(紅色的那個)的長度來決定，俗成w，幾乎每個cell都是這樣，也可以通過buffer來提高驅動能力

第二:因為這是非常簡單的邏輯閘電路，你不會或看不懂，那是你自己的知識不夠多，你應該去看書
數位電路可能因w的長度，而有不同大小驅動能力，但增值表都是相同的，功能也都一樣

第三:基本數位邏輯閘你可以把英文拿去網路收尋，就會有其電路的功能

laotui

沟道宽度

spartan313

你可以对比一下INV0 和 INV16, 结果一目了然；你提的问题，本身原理图上就差距很小，可能Width 只有几纳米的差别