数模隔离问题：n阱工艺的芯片数模地之间的阻值会很大吗？

摩卡咖啡

用的n阱.18um工艺的设计，之前了解到的都是共用一个衬底来做的；

数字的DGND和模的AGND走线都是单独走的，分别接到了不同pad，芯片PAD环路也了cutcell断开了相连的GND，中间还加了二极管隔离；







结果流片回来测试的时候发现，这几个地之间没有二极管效应，而且这几个地之间的电阻都只有十几和20几欧姆；
而原版芯片之间的阻值有十几M欧姆的电阻，同时也能量到二极管曲线；


这个差别是什么原因导致的？是levelshift这类器件离得太近了？不同GND的版图都需要加虚拟隔离层次来骗过LVS才能过？离得多远才算远？还是其它什么问题？


希望大家给点建议；

摩卡咖啡

还是可能是原版芯片有什么特殊处理把衬底隔离开了？

xy20190211

dnwell

musclerush

既然流片了那么应该已经过了LVS吧，但你说数模地电位不同这不应该啊，同一衬底上如果存在不同电位的地的话那么会有soft check的错误的，所以你的数模信号是相同电位的开尔文接法还是说确实电位不同。电阻的话如果阻值过小可能是没有框SAB图层？（只是猜想，没有在同一衬底上做过非开尔文接法的不同电位地）有SAB的源区电阻时没有SAB的源区电阻的12倍。

摩卡咖啡

musclerush 发表于 2021-5-19 08:42
既然流片了那么应该已经过了LVS吧，但你说数模地电位不同这不应该啊，同一衬底上如果存在不同电位的地的话 ...

电阻的阻值应该没问题，有加sab层；


我们是做了个芯片逆向，原版的芯片GND之间电阻很大，我们自己画的版图的不同的GND电阻很小；我之前学到的是单n阱工艺衬底都是接着一起的，所以AGND和DGND电阻很小也正常。
结果测试这边测了原版的芯片发现阻值很大，不同地之间也有二极管曲线，我们的没有后，老板觉得这是个问题，让我们找出原因；
至于DGND和AGND过lvs是通过加subd层这个虚拟层次，骗过lvs的，因为一直觉得衬底都是导通的，不同GND也都是一个地而已，当时都没多想；


所以说单n阱工艺如果不加deep nwell，这数模的地能有可能隔离开，阻值很大吗？

ps:您说的开尔文接法，之前没听过，我还得再查查看

存在感

看标题和前面描述还是有点云里雾里。后面看了下面的回复基本确认一下工艺，该工艺应该是P_sub 工艺 有带N well  和Pwell ,其中pwell mask  是用Nwell mask 负版来做。没有使用d n well 或 d well .
那么俩组地是做在对应的pwell 里面，如果是从这个角度出发，想增大两地之间电阻方法有两种，1 使用N well 隔开两组地的P well  让两组 地对应的pwell 分开，
从方块阻值上锁 sub 方块阻值是大于 pwell 的方块阻值的。还有一种方法就是看看你是使用的器件里面有没有native nmos 如果有可以利用 native nmos 器件里面的定义层 来隔开两个pwell, 因为native 器件时直接坐在 sub 上 ，该定义区域在 利用n well 负版计算pwell 时会带上该定义层。所以改层区域内是没有pwell 的。
这两种做法是在不曾加mask  前提下加大物理连接层电阻（从pwell 连接 改成 psub 连接）。如果想完完全全分开 就要增加deep n well  完全 独立分开 两组地。


楼主提出两组地间电阻太小原因，个人有两个推测
1 查看 两组地 的metal 连接间是否 有 diff 把两组金属串接一起，因为目前阻值 跟diff 阻值比较相近。
2 查看电源地之间有没有漏电 ，个人怀疑也有可能是有器件或物理层损坏。



Best Regards
Thomas

猴子砍树

你的 VSS1和VSS2  不就是通的吗？diode都有正偏的通路，所以电阻低不是正常的吗？