GGNMOS和GDPMOS在ESD保护上有什么异同？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-13 14:59:39

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GGNMOS和GDPMOS都是常用的ESD保护器件，他们在ESD保护能力上有什么不同，尤其HBM和CDM模型下的区别是什么？

sunshuanghao · 发表于 2022-3-5 16:11:26

顶一下~~~

Timeless_zzZ · 发表于 2022-5-18 15:55:25

等大佬

Scott2885212 · 发表于 2022-5-20 21:31:11

CDM 保护使用GGNMOS 和GDPMOS； HBM 保护一般使用 d_npw 和d_pnw 两类 diode

Kayle · 发表于 2023-8-28 10:43:09

顶顶

Anihacyo · 发表于 2023-12-1 21:58:14

Scott2885212 发表于 2022-5-20 21:31
CDM 保护使用GGNMOS 和GDPMOS； HBM 保护一般使用 d_npw 和d_pnw 两类 diode

啊？不是建议说一级二级device保持一致吗？

hijackerhaha · 发表于 2023-12-2 11:13:13

GDPMOS的电流能力弱，但好在几乎无snapback，开启均匀性比较好，但是代价就是面积比较大

Scott2885212 · 发表于 2024-5-9 22:24:18

GGNMOS和GDPMOS 一般都是是用于 CDM 的ESD保护；不同点是：两者应用的位置不同；GGNMOS 位于 IO 与 VSS之间；而 GDPMOS

sjc1192001 · 发表于 2024-9-4 18:32:18

VDD 到 IO 之间的 ESD 为什都用GDPMOS 而不用GGNMOS？

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