关于smic 28nm管子调用的问题。。。

newlayout · 发表于 2021-3-10 17:33:04

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大佬们，调用smic28nm的mos管子pdk，报错 3u是单个最大的参数，而eds要求单个finger最少5u，请问下这个参数从哪里改。打开了parameter 没有找到设value的options。。
*Warning* Total Width (w) parameter: 5u exceeds the upper limit of 3u!
Parameter value is set to its upper limit!

tuohong · 发表于 2021-3-10 18:26:15

改电路。

newlayout · 发表于 2021-3-10 18:33:09

tuohong 发表于 2021-3-10 18:26
改电路。

电路最大的也就是单个3u的。。

tuohong · 发表于 2021-3-10 18:34:26

eds是啥？

andyfan · 发表于 2021-3-10 22:07:39

我不太清楚SMIC的规则，但是可以给点建议

HKMG的规则，28来说，W是有3u的限制，但是这个限制是不包含ESD覆盖的部分的；看下面截图，TSMC的规则就说的很清楚，SR_ESD盖住的是不检查这个的。

不清楚S家是不是提供ESD的管子，如果不提供，只有自己画了。如果S家没有把ESD给扣除掉，哪你放心，是他们抄规则的时候，抄少了；

大家都是抄T的规则，只是经常性的会少抄一些东西。

PS: 28HK，对POLY之间的SPACE有严格的规定，CORE是100nm或者120nm（根据沟道长度不同不一样），IO是180nm；但是ESD管子因为有SAB覆盖，也是不遵守这个规则的。我不清楚S家这个做的怎么样，但是我对比过T和U的，因为有PSE效应的存在，T的控制的很好，虽然poly space拉开了，普通管子和ESD管子特性几乎保持一致；U的管子特性两种就差了很多，普通的和ESD的差距很大；这个最怕的是，S家做不到一致，然后还没提供专门的ESD管子的模型，哪就比较坑爹了，友情提醒下