目前工艺中遇到的电容种类小总结，如有不对，请多多指教和补充。

Mr_G · 发表于 2021-1-4 15:25:42

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

1）MIM (metal insulator metal)：是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着绝缘层离得比较远，所以C并不大。

2）MOM (metal oxide metal )：是finger电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。

3）Poly-Well电容：工艺中有NPoly-NWell 电容和PPoly-PWell电容两种。

4）MOS电容：栅端作为阳极，源漏短接作为阴极，容值大小不准确。

5）PIP(poly insulator poly)：是多晶硅电容，上下两层多晶硅与之间的绝缘层构成电容。

acging · 发表于 2021-1-4 16:37:31

MIM的单位电容大不大不好说，比较看工艺，跟极板距离和介质层材料有关。
比如有的工艺会单独做一层metal只给mimcap用，距离可以控制的比较小。

Chris_foo · 发表于 2021-1-8 08:55:41

MIM一般是单独的掩模，这样会增加成本。MOM可以和后端工艺同步做，不需要额外的掩模。

iamtorres9 · 发表于 2021-1-8 17:39:09

http://bbs.eetop.cn/thread-559927-1-1.html
可以看看这篇，讲解的比较清晰和简洁。

xiyuan4 · 发表于 2024-11-1 05:38:04

学习了

[原创] 目前工艺中遇到的电容种类小总结，如有不对，请多多指教和补充。