BCD工艺器件最外面围的一层psub环是起到什么作用

P_duan

BCD工艺器件最外面围的一层psub环是起到什么作用？我参考电路给的信息，最外围的psub环上是没有电位的，好像是同高电位的HVBN环一起出现的，而且这里的psub环又和我们之前做cmos工艺的衬底有所区别，实际我们优化连接的时候多个器件之间用自身的衬底环来隔开，最后多个器件再整体放在HVBN和PSUB隔离环里面来？比如下面截取的部分电路中红色标记的两组5V的n管，D端和G端都是接的VDD，然后B端分别接的各自的S端，这样实际我在摆放layout的时候是不是就可以两组管子合并起来连接，只不过这两组不同的管子用各自的衬底环隔开，最后总体放在HVBN和psub隔离环的中间？

wyn777999

这个应该要求你深N井边需要围一个Ptap 可以防止latchup 隔离，而且正常来说psbu就是地，是整个芯片公共的衬底

ydc273400

对于 PMOS 可以做到在阱里做阱，
对于 NMOS 自然也可以在P_sub上 再 单独分出一块gnd 以示区分 GND

xiwangalala1

盲猜是DNW里面防止punch through的PW ring

joeyang

遇见这样的设计，通常还是放在不同的PSUB里面，减少latchup风险

ttanalog

Thanks

neoo_0502

thanks

Sxiaojie

psub和hvbn一起出现的吧，用于隔离衬底。然后PWH可以设定模块的衬底电位

ijunqiu

N+ is an isolation. P+ is pickup to prevent latch-up.