GGNMOS结构，柵端通过电阻串联到地上的作用是什么？

lfsundahuan · 发表于 2019-12-19 10:03:03

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请教各位大神，ESD设计成GGNMOS结构时，柵端串联电阻接到GND上，这个电阻的作用是什么？是越大越好吗？电阻类型POLY还是diff电阻更好一些？

风铃雨声 · 发表于 2019-12-19 11:50:19

防止 CDM ESD时管子的gate受到破坏，这个电阻应该是大一些好的。当然过大会占用面积。
仅供参考，不严谨和有误之处欢迎批评指正。

lfsundahuan · 发表于 2019-12-20 11:52:10

风铃雨声发表于 2019-12-19 11:50
防止 CDM ESD时管子的gate受到破坏，这个电阻应该是大一些好的。当然过大会占用面积。
仅供参考，不严谨和 ...

问过一位前辈，说主要起到限流的作用。在ESD讨论区，有一位大神回复作用是耦合，使VT1减小。回复如下：
ESD设计成GGNMOS结构时，柵端串联电阻接到GND上，这个电阻的作用是什么？
耦合一个电压，让VT1比没有电阻的情况要低一点点

是越大越好吗？
不是。与工艺相关

电阻类型POLY还是diff电阻更好一些？
diff更好