DRAM Lyaout问题请教

a15468tim · 发表于 2016-5-14 08:49:17

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请教一下各位大大，在布局一个28fF的DRAM时，有下列几个小问题1、bit-line是否使用metal？ word line是否是使用poly?
2、若要layout一个28fF的DRAM，再计算其电容值的时候，其poly2、poly3的间隙，是算其5个互相平行的面就好吗？还是转角处也要算进去？(已知d 为100×10^-10,介电系数是使用空气的介电系数，poly2的高度为4000×10^-10）
3、poly2、poly3位置在应该布局在何处？
4、poly2和poly3在在rule里面同poly的rule情况下，是否要会和poly1有两个poly之间间距的问题，还是不同层不会影响到？
5、是不是每个电晶体都要搭配一个电容？
小弟刚学习布局，以上小问题希望有大神帮忙回答

tc7ryj · 发表于 2016-5-20 09:03:59

咦，哪个公司做DRAM？

t28user · 发表于 2016-5-20 09:06:37

強，推一下。

tc7ryj · 发表于 2016-5-20 09:07:56

这个要看你用的什么工艺

sunnyliu · 发表于 2016-5-20 14:44:10

不明觉厉

[求助] DRAM Lyaout问题请教

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