ESD问题

hhs_love · 发表于 2016-1-4 08:29:24

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

NMOS做ESD device时候，P+ ring 是紧靠NMOS的source端好呢？还是远离source端一段距离？

tuohong · 发表于 2016-1-4 09:35:23

对于GGNMOS这种用法，楼主说的我想象了两种模型。
1、source放在NMOS管的外侧，这是p+ ring是靠近；source放在NMOS管的内侧，这是p+ ring是远离。
这种情况常规都用靠近（source在外侧），原因一般的书都会说，防止电流直接通D端到ring，这就真烧了。
2、source放在这个NMOS的外侧，p+ring里的近一点儿，还是远一点儿。这个我不知道会有啥具体情况，就是想象下因为source和p+ ring用metal直连，能够保证任何情况下的等电位，所以只要遵守design rule，远近应该没啥问题。
第2点这点我不是很确定，请大家指导。