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[求助] 求教微电子工艺中Metal密度要求原因，metal溅射、刻蚀后如何保证硅片的平整度。

发表于 2015-11-13 10:02:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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工艺小白，请教：在rule里面金属密度有范围要求，一般为硅片平整度要求，工艺越先进要求越高，仅仅为平整度要求吗，而每次经过metal溅射、刻蚀工艺后，氧化层介质层生长后，如何进行平整度的工艺调整，是叫CMP吗，如果不是能不能解释下如何进行的，非常感谢。

金属, 如何, 微电子

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发表于 2016-3-23 18:58:05 | 显示全部楼层

CMP是全局平坦化工艺，精度很高，但是就是代价比较高，需要对工艺进行摸索，价格较高

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