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楼主: 蓝风紫心

[求助] ASMC工艺中,有一种BCD的工艺,其中metal层有选择

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发表于 2017-11-6 17:04:24 | 显示全部楼层
发表于 2017-11-8 11:43:15 | 显示全部楼层




    一般FAB 如果 metal density 不够会自己补 dummy pattern . LAYOUT软体会自己GDS 加.
因为工艺须考虑平坦化等问题 , metal slot or density 都须要考虑.
你没有画的空白区, FAB 会自己帮你补.

不过出问题要FIB 就要挖
发表于 2023-4-26 13:53:30 | 显示全部楼层
请问楼主解决了吗,遇到了相同问题
发表于 2023-7-11 16:09:44 | 显示全部楼层


tezhi 发表于 2017-4-23 20:39
M2與M3會是相同走線,但M3會是dummy,沒有接VIA2,所以沒有影響到你的layer層次,只是在做M2 FIB實驗需多挖 ...


M2 FIB實驗挖M3是什么意思?
发表于 2023-7-11 16:10:56 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2017-11-8 11:43
一般FAB 如果 metal density 不够会自己补 dummy pattern . LAYOUT软体会自己GDS 加.
因为工艺须考 ...


出问题要FIB 就要挖,是什么意思?
发表于 2023-7-14 08:41:46 | 显示全部楼层


FrankWang222 发表于 2023-7-11 16:10
出问题要FIB 就要挖,是什么意思?


Metal density 要求下会 dummy metal , 会盖在 metal2 上面拉 ..很多补dummy EDA  随机产生的 .

还有些FAB 端补dummy pattern , 就是 TAPEOUT GDS上 "没 看到dummy metal " , 但  , 最后 CHIP 上有盖,  

Debug 会增加困难 .  METAL2 FIB 刚好上metal3 , 需挖开metal3



发表于 2023-7-14 14:24:46 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2023-7-14 08:41
Metal density 要求下会 补dummy metal , 会盖在 metal2 上面拉 ..很多补dummy 是EDA  随机产生的 .
还有 ...


谢谢
发表于 2024-5-7 13:33:17 | 显示全部楼层
fab工艺还是高端的
发表于 2024-5-7 13:54:44 | 显示全部楼层
我看没人从单个客户角度说FAB怎么做的。
发表于 2024-5-7 14:03:04 | 显示全部楼层
举个例子,如果你是M1+TM,而其他家是M1+M2+TM. 有个误区就是很多FAB对于MPW都是一片晶圆对应一个客户,意思就是切割掉你自己的部分,别的都直接扔了。除非有哪些客户的层次一摸一样,才会涉及到分割的。如果你只有M1+TM,你和大部队客户晶圆在跑完相同的M1之后你就被分批出去单独跑特殊的TV TM flow,而别的客户继续跑v1 M2。最后跑完TM一起再dep passivation
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