LDO设计时PMOS调整管的宽长比怎么定

彭盛輝 · 发表于 2017-9-4 18:05:20

第二公式 ID在飽和區且>=vdsat(200mv)
第三公式 ID在飽和區

yun11 · 发表于 2017-9-5 21:45:07

谢谢学习

sea11038 · 发表于 2017-9-6 08:49:43

回复 30# mingyuanyu

第三个公式就应该是Vds啊，管子能饱和区工作的公式。

mutl1912 · 发表于 2017-9-6 16:27:48

回复 33# sea11038

好吧。
飽和區的公式是Ids=1/2*Kp*(W/L)(Vgs-vth)^2，若恰好在飽和區與線性區分界點，則有Vds=Vgs-Vth，所以這等式沒毛病。。。
這第二個等式和第三個等式假設的條件相反：等式二，MOSFET工作在深線性區；等式三，工作在飽和區。
所以用等式二計算W/L時，要留較大裕量，因為飽和區電阻要比線性區電阻大。

另外一個問題是：
飽和區計算的電阻是小信號電阻，不能用rds=1/（λ*Id）來計算壓；線性區電阻公式既可以用作大信號亦可以用作小信號，所以可以用計算得到的電阻*Id來得到壓降。

sea11038 · 发表于 2017-9-6 19:19:29

回复 34# mingyuanyu

第二个公式计算的是输入电压0.9V时至少所需要的管子尺寸，此时可认为输出也是0.9V(正常输出1V的指标减小10％，也是合理的)，管子深线性区工作，就相当于个完全打开的开关。第三个公式则是为了计算在第二个公式计算的管子尺寸前提下，能让管子进入饱和区工作也即能起到regulator作用所需的最小输入电压(最小压差)，大于此输入电压(最小压差)电路工作才是正常所需的。

mutl1912 · 发表于 2017-9-11 17:50:38

回复 35# sea11038

認同。

looksky34 · 发表于 2017-11-18 17:28:53

讨论很精彩，问下mos处在饱和区的导通电阻怎么计算

tobytian · 发表于 2017-11-30 16:20:37

LDO电路对运放的输出摆幅有要求么？一般运放的增益设计为多大合适

junbo6 · 发表于 2022-4-15 15:35:04

ic_zzb · 发表于 2024-5-22 11:20:08

thanks

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