请教GGPMOS的ESD问题

rev2012 · 发表于 2014-6-14 23:42:40

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

本帖最后由 rev2012 于 2014-6-14 23:44 编辑

如图所示，是相等面积的DIODE和GGPMOS，以0.5um标准CMOS工艺为例
在ESD的PD模式下，VCC接地，PAD打正向ESD脉冲，这时候DIODE正向导通，GGPMOS的漏极-衬底diode也正向导通

A: 单就ESD器件的可靠性而言，DIODE能达到的ESD电压高，还是GGPMOS？
B：将被保护的器件一起考虑（例如反相器输入），DIODE还是GGPMOS能达到的ESD电压高？

请高手指点，谢谢！

caesar_zhang · 发表于 2016-4-8 16:09:09

好嘛，这么长时间了，木有回复

[求助] 请教GGPMOS的ESD问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /1