设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › SOC设计论坛 › SOC讨论区 › 【关于NAND Flash Controller】扩展冗余区提高纠错能力 ...
返回列表 发新帖
查看: 2553|回复: 0

[讨论] 【关于NAND Flash Controller】扩展冗余区提高纠错能力的可行性

[复制链接]
马中弯
发表于 2014-2-24 13:58:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
本帖最后由 马中弯 于 2014-2-24 14:05 编辑

现在的Flash Controller都号称能上72bit/1KB的纠错能力，但是用BCH算法根本没有这么大的冗余区（OOB）来放ECC校验位啊。大家觉得牺牲数据区的容量拿来放多余的校验位是否可行？
ECC, flash, OOB

相关帖子
回复

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-1-18 20:10 , Processed in 0.026846 second(s), 25 queries , Gzip On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表