在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3316|回复: 2

[求助] 求问SMIC55nm的普通工艺和RF工艺有什么差别啊?

[复制链接]
发表于 2013-8-6 23:36:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在SoC中需要集成AD与PLL,上一版用的smic0.13um mmrf的工艺,普通的与RF的都是同一种工艺。这一版改用55nm的,普通的与RF的就分开了。但是因为PLL必须要用RF的工艺,所以AD也只有跟着用RF的工艺了。AD的采样率是100M,还远算不上RF吧,这样做会对AD的性能有什么影响吗?想请教一下55nm普通的和RF的工艺具体的差别主要在哪些方面啊?是spice model有差别吗,还是DRC的时候会不一样啊?求大牛指导。
发表于 2013-8-7 09:02:35 | 显示全部楼层
工艺设计都是 LL -->   mixed  --> RF 是一级一级加上去的。如果你设计中未用到RF 的device,就是和LL 的base 一致。
你可以SMIC的CE 或者AE 联系获得更多消息,或者看看文档里面是否有相关内容。
SMIC的文档描述一直是个问题,但是国内的设计者也没有看文档的习惯,共同努力互相促进吧。
发表于 2013-8-11 21:41:53 | 显示全部楼层
不知道了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-20 08:08 , Processed in 0.015545 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表