关于Sentaurus sprocess对于Deep Trench Epi的问题

yuchao8604 · 发表于 2013-4-17 10:19:06

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各位大神：

本人正在学习PowerMOS的一些工艺模拟，在做Deep Trench Doped Poly Epi的时候发现模拟运算速度非常之慢（由于沟槽比较深10分钟只能运算到1e-5s的Epi Profile），目前尝试过将Epi工艺换成deposition，但是deposition貌似不能做本位掺杂，填充的Poly均为Undoped Poly，不知道各位有什么比较好的办法可以解决该问题？

非常感谢！

woaijoyce · 发表于 2013-4-24 21:13:16

deposit material = {Poly} type = anisotropic rate = {0.1} time=5 Arsenic conc=5e20

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