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[讨论] 间接带隙半导体 的概念理解

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发表于 2012-12-5 15:52:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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间接带隙半导体  通俗一点解释,和直接带隙半导体的区别是什么?
发表于 2012-12-7 11:35:03 | 显示全部楼层
回复 1# 729050850


就是电子无法直接从导带跳到价带,需要有中间能级过渡
发表于 2012-12-7 14:00:03 | 显示全部楼层
半导体物理的东西快忘光了
发表于 2012-12-13 11:33:27 | 显示全部楼层
电子能否直接通过
发表于 2012-12-13 11:55:54 | 显示全部楼层
ai ~~~
发表于 2012-12-13 23:21:42 | 显示全部楼层
直接:导带的最底端和价带的最顶带在同一个位置(k),适合leds 跟lasers
直接:导带的最底端和价带的最顶带不在同一个位置(k),电子从Ev 跃迁到Ec需要从晶格振动 中获取额外的动量(声子),所以不适合leds 跟lasers。
发表于 2013-6-26 09:31:53 | 显示全部楼层
半导体物理学上面有详细的描述,间接带隙半导体发生跃迁时还与晶格发生能量交换
发表于 2013-11-14 13:26:28 | 显示全部楼层
价带顶和导带低不在一个地方,最直接的记忆
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