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[求助] 求达人浅显易懂地解释一下fermi level pinning

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发表于 2012-4-1 23:41:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xhwubai 于 2012-4-2 22:33 编辑

好吧,我搜索到的
http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=1115509

@bluesky238
钉扎就是缺陷某个能级上能态数量太多,可以接受大量的电子或空穴,从而导致半导体掺杂引入的电子或空穴全部填充到缺陷能级,费米
面不能上升或下降的情况。可以这么考虑,就好像是一个U型管的侧面接了一个无限长的水平细管一样,当水灌至这个水平管高度时,你再往里面灌水,这个系统的液面都不会升高一样。

@userhung
钉扎效应:某个有缺陷的能级上的能态数量过多,很容易接受大量的电子或空穴,导致半导体中掺杂进的电子或空穴全部填充到了有缺陷的那个能级上,从而费米面不能上升或下降。

@tan-tt
费米能级的钉扎是一个过时或者即将过时的概念,首先出现是为了解释金属与半导体接触时,接触势垒与金属的功函数关系不是那么大,从而引入了一个表面态钉扎费米能级的概念,而实际上,近20年来关于肖特基势垒的研究已基本否定了这一概念,或者摒弃了这个概念。就像Raymond T. Tung在2001年的Materials Science and Engineering Reports上说的一样,费米能级钉扎只是似是而非的表面现象,而不是肖特基接触势垒的本质。("FL-pinning" is actually a term borrowed from the literature used to describe a seemingly similar phenomenon observed at semiconductor surfaces and semiconductor-snsulator interfaces. )更多的研究认为,SBH是由界面反应以及界面相控制的,而不是什么所谓的费米能级钉扎!
费米能级钉扎概念还被用于解释高阻半导体的高阻形成机制。典型的如半绝缘的GaAS的高阻形成机理,认为是深能级钉扎了费米能级,这一概念也存在同样致命的漏洞,只是目前还没有更合适的模型和概念出现。
发表于 2012-5-31 19:55:17 | 显示全部楼层
Fermi level pinning concept is also used to explain the high resistance formation mechanism
发表于 2012-5-31 20:17:26 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-31 20:18:57 | 显示全部楼层
虚拟机下linux装上tsuprem4后启动变得很慢
 楼主| 发表于 2012-6-5 22:47:58 | 显示全部楼层
回复 4# sdgodwinraj


      木有装过表示不知情……

是不是分配给虚拟Linux的内存不够多?
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