Bandgap中偏置电路的环路增益计算及稳定性的疑问

helianalog · 发表于 2011-6-16 10:40:56

回复 3# chenchenbeyond

我是觉得，op2中M1和M2是开关管，导通的话，OP2就是简单的差分放大器了。
不知道这样理解对不对。

chenchenbeyond · 发表于 2011-6-16 18:31:10

回复 11# helianalog

OP2的增益问题已搞定，那两个开关管在深线性区，通过调节尺寸可以调节它们的rds。把他看成带源级负反馈下面的电阻。。
这样调rds就能把运放的增益降到需要的值。

我同样还有疑问，就是这个环路的建立时间怎么算？
Vout(t)=Vstep(1-e^(-wt))
我这里按电流反馈来算，怎么去从建立时间来推他的GBW？
谢谢！

eli20060909 · 发表于 2011-12-3 20:18:09

thank

liiru · 发表于 2012-7-12 14:12:32

mark,学习中

josh11182002 · 发表于 2012-8-19 10:12:45

太高深了，学习

i0977454522 · 发表于 2014-12-5 11:11:20

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等

asu2011 · 发表于 2014-12-15 14:08:27

学习了

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