一个有关45nm工艺中金属线方块电阻变化的问题

analogmind · 发表于 2010-6-18 18:32:00

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有个问题想请教各位大虾。

TSMC45nm工艺中同样金属线的方块电阻会因为线宽和线间距的不同而不同。
比如下表所示：

线宽       线间距          方块电阻
0.07um 0.07um       0.278ohm
0.07um 0.21um       0.139ohm
0.21um 0.07um       0.188ohm

这是什么原因呢？百思不得其解啊！

woodtrain · 发表于 2010-6-18 21:02:28

不同width/space实际刻蚀出来的图形效果不一样呀

waley · 发表于 2010-6-19 03:32:25

wa~~soga
learning~~

analogmind · 发表于 2010-6-19 15:39:03

不同width/space实际刻蚀出来的图形效果不一样呀
woodtrain 发表于 2010-6-18 21:02

登录/注册后可看大图

能有翻倍的差距么？

analogmind · 发表于 2010-6-26 20:29:05

还有没有其他解释啊？

raga21 · 发表于 2018-2-16 17:47:07

where can i download including GDS?

西瓜慧子 · 发表于 2019-7-12 15:04:14

请问关于方块电阻的描述可以在哪个地方找到呢，具体需要用什么关键词搜呢

bing_bing · 发表于 2020-5-8 16:13:13

方块电阻一般可以在描述器件电气特性的文档中找到比如 electrical specification

龙溪小泮 · 发表于 2021-5-31 10:21:02

工艺间距差距是比较大

[求助] 一个有关45nm工艺中金属线方块电阻变化的问题

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