关于mos管体效应的问题请教

piao · 发表于 2009-6-18 20:18:45

原帖由 Genny 于 2009-6-17 19:01 发表

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那如果是像tsmc.18 rf工艺，对于deep n－well nmos管，可以把源衬底短接减小体效应吧？

对的，

现在有很多bulk driven 设计的研究，有兴趣的可以在网上search一下

suncaocool · 发表于 2009-7-3 15:59:36

双井就可以啦

梧桐 · 发表于 2010-12-5 14:15:37

可以相连但是会产生寄生电阻

wuzhantuo · 发表于 2010-12-5 15:04:06

学习一下

vbstar · 发表于 2021-6-30 16:02:14

在单阱工艺中，PMOS衬底和源端连接，那NMOS该如何消除衬偏效应呢？

chijunyinxi · 发表于 2021-6-30 16:16:09

学习了

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