SDRAM随机读写问题

wangee · 发表于 2009-5-16 16:46:35

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用的是IS42S16400
我是对同一行写，然后在读同一行
1.在写的时候，先先执行Avtive命令，然后开始发送写命令(没有Auto Precharge)，
以后每4个周期发送一个写命令(burst length = 4)
2.然后读该行数据测试。
读的时候是有Auto Precharge，只是想看一下结果，发现结果不对。
请教上述方法是不是有问题
写完之后是不是要Precharge后才能读啊？

darylz · 发表于 2009-5-16 17:42:38

不是，不用precharge就能读。但是是有时间限制的。

liulanghan · 发表于 2009-5-24 00:15:08

全写1,读出,再全写0,读出,比较一下

xs_uestc · 发表于 2009-5-24 19:50:33

以前也遇到过这样的问题，后来不知不觉就好了

armweak · 发表于 2009-6-30 13:57:39

这个操作顺序没有问题。不过不知道你读写之间的间隔有多长时间，时间太长超过了row的active最长时间就不行了。
给出的信息不够多，很难判断到底是什么问题。

kiol2001 · 发表于 2009-6-30 17:19:09

哈哈。刷新问题考虑了吗？

yanzhifeng27 · 发表于 2009-7-1 22:14:58

dingdingding

ADC916 · 发表于 2010-1-2 14:15:23

THANKS

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