用于LDO的带隙基准怎么设计

yfr

最近在考虑用于LDO的带隙基准电路设计，但是遇见一些问题，求各路大佬解答疑惑
1.设计了如图带隙基准，但是用的带米勒补偿的二级运放，看eetop上很多帖子说低压求和型带隙不能用米勒补偿的运放，想知道为啥
2.如图结构能够用在高压吗？（2-3.3V输入，1.2V输出）
3.如果不能用如图结构，想要一个精准的1.2V电压输出，推荐一下带隙基准的结构（PTAT电流+vbe那种好像只能输出1.25v这样子。调输出电阻可以调到1.2V，但又影响温度系数的匹配，不知道怎么办才好）

wrss20080407

个人观点：
放大器、M2和M1形成两个环路，一个是正反馈，一个是负反馈。因此放大器尽量采用单级，增加稳定性。
这个电路可以实现1.2V的电压，一方面是因为1.25V是个理论值，实际得到的电压到不了1.25V；同时，M3那一路的电阻可以调节输出电压。

qluo14

请问这个图是用什么软件画的？

yfr

wrss20080407 发表于 2024-5-15 17:28
个人观点：
放大器、M2和M1形成两个环路，一个是正反馈，一个是负反馈。因此放大器尽量采用单级，增加稳定 ...

嗯谢谢您，我说的不是这个电路能否实现1.2V，这个电路能调到1.2V的，但是我不知它用于高压会有什么问题。如果不能用于高压那么ptat电流+vbe那种带隙输出也可以到1.2V，但是那样vbe和deta-vbe的比例就不是最优了

yfr

qluo14 发表于 2024-5-15 21:07
请问这个图是用什么软件画的？

我网上随便截图的。但是画图你可以用visio

Shiroihane

yfr 发表于 2024-5-16 08:34
嗯谢谢您，我说的不是这个电路能否实现1.2V，这个电路能调到1.2V的，但是我不知它用于高压会有什么问题。 ...

这是标准的电流型带隙基准，输出电压无限制，你更该担心的是电压余度够不够用。

yfr

Shiroihane 发表于 2024-5-16 10:13
这是标准的电流型带隙基准，输出电压无限制，你更该担心的是电压余度够不够用。
...

嗯谢谢您，我的电压余度是够的，之所以问出这个问题是因为在eetop上看见其他大佬说不建议这个结构使用在1.3V的电压以上，所以有此一问

tofu0525

yfr 发表于 2024-5-16 10:20
嗯谢谢您，我的电压余度是够的，之所以问出这个问题是因为在eetop上看见其他大佬说不建议这个结构使用在1 ...

不太确定你指的高压是什么，如果是VDD太高而使用的是低电压元件那确实，但如果指的是电压余裕很高那很好不是吗

CZJ98

wrss20080407 发表于 2024-5-15 17:28
个人观点：
放大器、M2和M1形成两个环路，一个是正反馈，一个是负反馈。因此放大器尽量采用单级，增加稳定 ...

是的，BG放大器提供直流增益，而不是带宽，尽量使用简单结构，保证稳定即可。

yfr

tofu0525 发表于 2024-5-16 11:00
不太确定你指的高压是什么，如果是VDD太高而使用的是低电压元件那确实，但如果指的是电压余裕很高那很好 ...

我也是这么想的，但是看帖子说1.3V以上不建议使用，想知道为啥