首先看是Cu工艺还是AL工艺,如果是Cu工艺,则不存在刻蚀金属的问题,Cu工艺是现在电解质层挖槽,如果pattern density 较大的话,刻蚀的过程中产生的polymer比较多,导致刻蚀速率低,从而可能产生density大的地方刻蚀不足的问题,刻蚀不足有可能导致与下层金属断路的问题。
另外,刻蚀完形成槽后,再往槽内填Cu,最后CMP,CMP过程中,pattern density大的地方磨掉的就少,这样就会造成盖地不平的现象
是这样理解哦,AL工艺中,pattern density大,那就是需要刻蚀掉的AL就相对少;相比pattern density 小的地方,需要刻蚀掉的AL就多。刻蚀过程中刻蚀气体比例调整是要能达到刻蚀完全,那density过大的地方就可能导致过刻蚀哦,density小的地方就可能刻蚀不足。
我是这样理解的,没有做过工艺也比较难理解