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楼主: lifusu

[讨论] 关于MOS电容的问题

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发表于 2016-4-11 16:44:48 | 显示全部楼层
学习啦~
发表于 2016-4-12 17:38:15 | 显示全部楼层
发表于 2016-4-13 09:33:51 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-10-19 17:14:00 | 显示全部楼层
那电路中既然可以调用任意值大小的电容,为什么还需要构造MOS电容?理由是什么呢?(我不太明白这样的运用方式),谢谢解答!
发表于 2017-2-6 14:50:49 | 显示全部楼层
回复 24# 15111470062

理由就是mos电容的密度更大,可以用更小的面积实现更大电容。
发表于 2017-2-6 14:53:05 | 显示全部楼层
回复 9# yshmilyou


    psub的工艺能不能把NMOS做到NWELL里面,然后把NMOS的S/B/D接VDD。
发表于 2017-2-8 18:05:02 | 显示全部楼层
即使正偏,也流不到哪儿去、
发表于 2017-2-13 11:52:28 | 显示全部楼层
Good!!!
发表于 2020-8-27 14:59:39 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2020-9-18 07:48:23 | 显示全部楼层


请问一下大佬源漏衬相接和源漏相接,衬底接另一端的这两种电容有什么区别?
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