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[讨论] 6管SRAM工作原理

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发表于 2012-8-27 19:54:44 | 显示全部楼层
SRAM单元工作可以分为3个部分:保持数据,读/写;6T SRAM的保持很好理解,耦合的双反相器实现‘0’,‘1’的静态保持。
读数据时,先把字线(word line)充到高电平,使门管导通,然后数据节点向位线(bit line,一般是正反两根)充/放电,灵敏放大器识别出两根位线的电压差将电平放大成合格的高/低电平,即数据读出;
写数据时,先根据要写的数据将某一根位线预充至高电平,同时另一根放电到地电平。然后字线为高,导通门管,位线向数据节点充/放电,这时要保证充/放电电流要大于下/上拉路径电流已使节点电压能够变化到时反相器反转的程度,否则就是一次失败的写入(fail write)。

6T单元还是很好理解的。
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