设为首页 收藏本站
在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › ESD/EOS和latchup(芯片级) › ESD/EOS讨论区 › MOSFET在脉冲 高电压 下，其栅氧化层会被击穿吗？ ...
返回列表 发新帖
查看: 3684|回复: 6

[求助] MOSFET在脉冲 高电压 下，其栅氧化层会被击穿吗？

[复制链接]
发表于 2014-7-27 06:34:33 | 显示全部楼层
假如10V已接近5V栅氧的击穿电压，ESD时候几十ns内就可以损坏栅氧，那么相信这个2us脉冲就算不损坏栅氧应该也会降低其寿命了
回复 支持 反对

使用道具 举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-13 06:38 , Processed in 0.010635 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表