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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › BCD工艺中多晶电阻耐压问题？？
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查看: 3165|回复: 4

[求助] BCD工艺中多晶电阻耐压问题？？

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发表于 2016-6-27 21:49:31 | 显示全部楼层


   
各位好，现行BCD工艺中多晶电阻耐压最高可做到多少？？
zhubch_04 发表于 2016/6/27 20:45

                               
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    干嘛要问最高啊？
用过ASMS的BCD工艺，最高可50V以上
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