在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜全文
查看: 8988|回复: 17

[求助] LDO电路如何改善负载电流变化引起的电压变化

[复制链接]
发表于 2024-3-18 09:39:25 | 显示全部楼层
1)仿真这个LDO的时候,LDO输出端加了多大的负载电容
回复

使用道具 举报

发表于 2024-3-18 09:46:16 | 显示全部楼层
2)PMOS作为功率管,LDO输出如果不加足够大的电容的话,瞬态响应不会很好,建议改成NMOS管作为功率管
3)NMOS作为功率管的话,你要考虑你的电源电压,看你这3.3V,输出个1.8V应该没有问题,但还是得做好偏置,确保运放输出端往上看的PMOS没有进入线性区。
4)NMOS作为功率管的稳定性,不是用密勒电容,而是直接在功率管栅极挂上较大的到地电容实现稳定。
5)建议看一些知网的硕士论文,前面三章会讲点这些基础内容,包括常见的频率补偿方法和LDO做法
回复

使用道具 举报

发表于 2024-3-20 08:56:22 | 显示全部楼层


   
DramaFun 发表于 2024-3-19 18:57
好的,我没有考虑过功率管的问题。加大输出电容确实可以缓解瞬态响应,但是发现输出电压在大电流情况下有 ...


还是很好奇你这个LDO的负载电容要求是多少,上面这篇文章负载电容为uF级别,按照它的结构去做100mA级别的LDO是没有问题的,仿真STB的PM足够,但是得注意GM够不够。而且这个电路之前试过,可能是我没调好,在小电流时候会振荡,但是这时候PM和GM都是足够的,你后续仿真可以注意一下。
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-19 01:02 , Processed in 0.011889 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表