高压阱与低压阱Latch up

LZPDZ7 · 发表于 2021-11-29 10:30:57

本帖最后由 LZPDZ7 于 2021-11-29 10:32 编辑

！！！哪位大佬讲讲关于高压阱与低压阱容易Latch up的原因，还有I/O与内部电路的，为什么打双环结构，这俩个问题都需要拉大距离，有什么注意的事项吗？

LZPDZ7 · 发表于 2021-12-1 09:26:00

gybak 发表于 2021-11-30 09:52
新人最近在学习不知道这个解释是否合理：简单理解一个NMOS加PMOS组成的反向器，当输出电压大于VDD+0.7时， ...

就是不知道间距如何把握，工艺文档只能参考

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