GGNMOS原理和GGPMOS原理

模拟后端的小白

GGNMOS原理当 PAD 端聚集大量的负电荷时，通过 Drain 端与 P-substrate 之间的 PN 结,电荷由 B 端泻放到 GND。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏？  我的理解是反偏，因为大量的负电荷使 Drain 端电压降的很低，所以我的理解是PN 结反偏，请问一下对吗?
GGPMOS原理当 PAD 端聚集大量的正电荷时，通过 Drain 端与 NWELL 之间的 PN 结, 电荷由 B 端泻放到 VDD。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏？  我的理解是正偏，因为大量的负电荷使 Drain 端电升高，所以我的理解是PN 结正偏，请问一下对面?

模拟后端的小白

   

lalala2018 发表于 2021-9-17 10:52
ggnmos的是通过寄生npn放电的

不是完全依靠寄生NPN，我是想分析ESD的GGNMOS和GGPMOS的正负电荷走向，遇到一些模糊的知识点，