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[求助] 无片外电容ldo的下冲电压较大以及响应时间应如何调整

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发表于 2024-5-9 20:04:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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下冲电压近6v了,请问这个要怎么改善呀?
图片1.png
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 楼主| 发表于 2024-5-9 21:00:05 | 显示全部楼层


   
uniquemh 发表于 2024-5-9 20:44
片内电容多少,iload变化多大


请问一下片内电容指的是什么呀?负载电流是从0跳变到10mA
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 楼主| 发表于 2024-5-10 09:52:48 | 显示全部楼层


   
xdy609841687 发表于 2024-5-10 08:37
瞬态响应不够,多烧电流,或者多在输出端多接decap电容,你这个6v也不准确,因为理想电流源才会拉到负这么 ...


请问您说的改动是这样吗?不知道我理解您的意思理解的对不对,还请您指正


请问如果我这个ldo需要如何改动才能接大一点的电流负载呢?

这是修改后的电路,输出接上了1k的电阻,电流负载是采用的ipwl从0跳变到1mA

这是修改后的电路,输出接上了1k的电阻,电流负载是采用的ipwl从0跳变到1mA

下冲电流得到了明显的改善,还想请问响应时间应该如何提升呢?

下冲电流得到了明显的改善,还想请问响应时间应该如何提升呢?
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 楼主| 发表于 2024-5-10 10:29:50 | 显示全部楼层


   
xdy609841687 发表于 2024-5-10 09:56
不是这个意思,你这样相当于只跳了1mA,就用纯电阻负载跳,或者给理想源并一个纯理想的diode,提升瞬态响 ...


实在不好意思,新手小白,没能理解到您说的用纯电阻跳变 换成纯电阻的话哪里发生的跳变呢?没有理解这一点,还烦请您赐教!

将ipwl去掉了

将ipwl去掉了
图片1.png
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 楼主| 发表于 2024-5-10 10:46:14 | 显示全部楼层


   
uopuwe 发表于 2024-5-10 10:38
这个是基本的仿真方法问题,比较好奇难道你的公司没有现成的test bench吗?如果没有,难道你的经理或主管没 ...


不在公司 学生自学没人带所以上论坛问问
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 楼主| 发表于 2024-5-10 11:13:06 | 显示全部楼层


   
tomcarrot 发表于 2024-5-10 11:09
先想两件事情
1、0-10mA、2mA/us的跳变范围是怎么来的,为什么需要支持这个范围;
2、你的带宽400kHz,单纯 ...


好的谢谢您,我思考一下!
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 楼主| 发表于 2024-5-10 16:10:14 | 显示全部楼层


   
xdy609841687 发表于 2024-5-10 13:19
用个开关去切掉电阻就行,电阻阻值设置成电压/电流,比如你输出3.3v要跳10mA,就设置成3.3/10mA,然后某 ...


好嘞好嘞,谢谢您,我去试试!
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 楼主| 发表于 2024-5-13 11:04:08 | 显示全部楼层


   
uopuwe 发表于 2024-5-12 09:02
仿真load trantient时,在test bench里可以加ipwl理想电流源,可以先设置为1% Iload_max到100% Iload_max跳 ...


我将功率管的宽长比调整成了10000,前面那个pmos的宽长比设为了5000,此时的瞬态还是不行,不知道从哪里进行改善了 而且为什么去掉电阻,下冲电压就会有个明显的增大呀?请问我是需要去分析电路的什么方面呢?

删去了电阻,ipwl是从0上升到1mA

删去了电阻,ipwl是从0上升到1mA

电路在dc仿真时的状态,这时电路接的是10mA的负载

电路在dc仿真时的状态,这时电路接的是10mA的负载

电路在tran仿真时,红框内两根管子进入了1区

电路在tran仿真时,红框内两根管子进入了1区

tran仿真的结果图

tran仿真的结果图
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