高压MOS管设计的问题

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 09:58:03

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本帖最后由 phonenix012 于 2022-12-13 10:10 编辑

各位大佬：
   最近在画高压MOS模块（PDK smic55），请教如下问题，不胜感谢
   1.高压MOS的沟道定义跟常规不同，请问其W/L是怎么定义的呢？    2.针对第一条，DRC里说GT overlap AA must produce two or more AAs, except HV GT, the INDMY, OTPMK1, OTPMK3 and INST covered regions，如何让DRC rule识别为HV GT呢？
   3.NDRF，PDRF，DUMBA，HVNW层都是干什么，它们之间有哪些通用的关系？
图片1.png

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 11:07:32

江湖人92 发表于 2022-12-13 10:39
1. W是S/D沿Poly 方向的宽度，这个与常规器件(LV/MV mos)相同；L是沟道宽度，不是Poly宽度，是poly下面导电 ...

从PDK来看，W应该DUMBA的宽度，而L是S/D DUMBA之间的Space，请问这里是怎么定义导电沟道的呢？

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 13:11:28

fengrlove 发表于 2022-12-13 10:55
你去看看温德通《集成电路制造工艺与工程应用》关于BCD那篇简介，你就明白额 ...

好的，感谢

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