NMOS反型层的电子问题？

agumonx

   

RFstudent 发表于 2020-7-15 14:00
参考半导体物理方面的知识，简单写了一些看法，见附件。

只有你这层的回复才是对的。。纯MOS结构(其实就是MIS)强反型后耗尽层宽度不再增加，多余的电子通过产生-复合过程产生，只不过相比多了源漏的MOS管，这个过程很慢，高频时产生-复合跟不上电压变化速度。不过我有个小问题。。就是纯MIS结构中，强反型后，多余的空穴去哪了？耗尽层宽度达到最大后，表面电子电荷减去耗尽层内正电荷后还有富余吧

agumonx

   

RFstudent 发表于 2022-1-13 21:38
耗尽层不是正电荷，p型半导体耗尽是电离受主，带负电。空穴是到半导体体内去了。

...

我明白你的意思，我的疑问不在这里。。我比较迷惑的点已经深入到能带论了，后来我也不怎么深挖了