S型U型倒比管

颜鹏飞

你好，
（先说前提，你给了layout，没给层次说明，我推断蓝色是有源区，红色是poly，这个推断若错误，以下便都是废话，请无视）
你有两处概念没有理解清楚：
1，没有理解“有源区”和“注入”的概念。
——你提到：“有源区会被阻挡掉”，“只会形成源漏区域的有源区”——说明你混淆了有源区和注入，请复习下工艺流程，以下简单提一提。
以NMOS为例，NMOS需要做在P型区域上，比如p-sub，pwell等。
P型区域上会存在厚厚的场氧化层，这层太厚了，注入穿不过去的；把场氧化层挖掉一小块，这一小块就是有源区，也叫槽区”moat“，也叫”薄氧“，也叫……，还有很多种别称，此处不作展开。有源区上生长薄薄的栅氧化层。栅氧化层上淀积多晶硅以形成栅极，栅极两测注入N型杂质，形成NMOS的源漏区。
2，没有理解“沟道”和“反型”的概念。
“沟道”是因为“反型”而产生的。
gate-poly下阻挡了N型注入，所以仍然是P型区域，即衬底B，bulk or body，他是P型的；
源漏区是N型注入；栅极gate-poly和Bulk之间加电压，达到阈值，P型 bulk反型，形成N型电子沟道，与源漏之间的N型注入形成电连接，沟道导通。源漏之间的电子的漂移路径，才是沟道长度。沟道只在gate-poly下才存在，所以沟道长度是S型poly的长度。