如何理解vod和vdsat

研究生笑笑

长沟道器件，只需要考虑一阶效应，Vod(也有称做Vov, over-drive voltage)=Vgs-Vth≈Vdsat.
短沟道器件（<0.5um），需要考虑二阶效应， Vdsat是表征沟道pinch-off现象出现、电流饱和时的drain-source voltage, 此时有Vdsat<Vod， 当然Vod关系不变，还是Vod=Vgs-Vth。
Vdsat是各软件用来判断管子工作状态是否在饱和区的参数，关系为Vds>Vdsat。不过实际设计时一般要保证Vds-Vdsat>50mV，因为一是防止工艺误差或信号扰动导致管子状态偏移，二是饱和区边缘的rds小，本征增益差。合适余量在200mV，差分管因为共模抑制性好，余量可以放宽在100mV。
在仿真时一般只用管Vdsat，hand-calculation时一般只考虑Vod(也没有Vdsat).

研究生笑笑

   

一个头五个大 发表于 2023-9-22 15:47
是仿真分析时候用Vdsat替代Vod吗（二者在分析中等价，一个用于手算一个用于仿真）
...

不是代替，如果你用virtuoso，可以看到软件把Vdsat写上了，而Vov=Vds-Vth你是可以自己算的，是不相等的。是不用Vod，而只用Vdsat来判断饱和区。而在手算分析中，没有Vdsat这种数据，你无法判断电子速度在什么电压下饱和，所以统一用Vov这种简单但可能不精确的数值。