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查看: 17397|回复: 43

[讨论] 模拟电路中ESD问题请教各位大侠!

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发表于 2014-7-15 10:40:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位,我在宜硕打ESD时现在碰到一个问题(宜硕打ESD比较权威,他们的ESD过程没有问题,
只是我们想分析他们的结果)
就是附件中所述的引脚PAD1对引脚VSS打正2000V(即PAD1为电压正端,VSS为电压负端)时,PAD1对VSS
的IV曲线在打ESD前后没有变化(说明PAD1对VSS的ESD防护没有被打坏),但是导致芯片引脚VDD对VSS之间有漏电,
不知道有没有人碰到过这个问题?什么机理呢,请教过程中。

esd电路图片

esd电路图片
 楼主| 发表于 2014-7-15 13:37:42 | 显示全部楼层
谢谢各位的回复,对的!我可能没有把情况说清楚,再补充一下:
此工艺不是普通的CMOS工艺,
BJT,CMOS等都有,二极管phvnw, hvpwhvnwnbl都有。
PAD1的正常工作电压范围:(-9V~22V),
MOS管的栅氧承受电压<7V,
VDD=2~5V,
我们也尝试在VDD与VSS之间加5V测漏电时,在PAD1上加一外加电压,电压值从0~5V变化,
试图改变芯片内部的高阻节点(悬浮节点)的点位,结果发现漏电流没有变化!说明此漏电流与
PAD1的电位没有关系。
还有我们在宜硕打ESD时,
用3个样品芯片PAD1对VSS打2000V正压时,有2个样品会VDD与VSS之间漏电,还有1片是好的(不漏电);
用3个样品芯片PAD1对VSS打1500V正压时,有1个样品会VDD与VSS之间漏电,还有2片是好的(不漏电);
用3个样品芯片PAD1对VSS打1000V正压时,3片都是好的(不漏电);
后来又重复进行了此实验打2000V,共有5片芯片漏电,
而且5个样品芯片漏电在VDD=3V时,漏电流分别为:194uA,193uA,194uA,195uA,196uA(即样片之间误差很小,只有1到2uA的区别)
改变VDD=5V时,此5个样品芯片漏电流都一样为:537uA(样片之间没有区别)。
即漏电与VDD之间不是正比例的关系,倒是有点平方关系(即:抛物线曲线),因为5/3不等于537/194.
而且漏电流的值可以重复,说明不是普通的击穿导致的漏电流(如果是普通的击穿导致VDD与VSS漏电流,则
漏电流值不可重复!)
对了,上面的附图是我能从芯片schematic中找到的PAD1与VDD最直接的连接关系了,不知道有没有其他的
耦合方式导致漏电了?
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 楼主| 发表于 2014-7-15 13:40:24 | 显示全部楼层
回复 3# jiang_shuguo

谢谢你的回复
    你说的很有道理,我接下来可能就是找电路中间接的耦合点了
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 楼主| 发表于 2014-7-15 13:41:59 | 显示全部楼层
回复 5# math123


    你说的没错,PAD1正常工作时为-9V~22V,高于VDD(2~5V),所以需要此类ESD。
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 楼主| 发表于 2014-7-15 13:43:41 | 显示全部楼层
回复 7# hszgl


    你说的有道理,我们也曾尝试改变PAD1的电位,看VDD与VSS之间的漏电流,
结果发现漏电流与PAD1的电位没有关系。
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 楼主| 发表于 2014-7-15 13:52:51 | 显示全部楼层
回复 8# fuyibin


谢谢回复!     
电源VDD和VSS之间有CLAMP电路的(没有画出来),我们在对PAD1对VSS打正压2000V后,
会检查芯片所有的PIN脚的IV曲线,结果发现就只有VDD与VSS之间因漏电而使IV曲线不重合。
还有,我们单独对VDD相对VSS打正压2000V,也没有发现漏电问题。

BTW,PAD1对其正电源(另一个电源域VDH=10V,非VDD,VDH是里面升压电路产生的一个电压)打过
正压2000V和负压2000V,然后检查芯片所有的PIN脚的IV曲线,结果发现IV曲线都是OK的。PAD1对其正电源
的ESD保护也是OK的。
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 楼主| 发表于 2014-7-15 14:09:55 | 显示全部楼层
回复 14# math123


    谢谢回复,我们回头在侧漏电流时测一下PAD1的电位
不是T的工艺(出于对公司保密的考虑,不方便透露Foundry厂,望谅解!
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 楼主| 发表于 2014-7-15 14:20:30 | 显示全部楼层
回复 14# math123


    是的,因为分压原理,改变PAD1的电压不会显著改变PM1,NM1栅极上的电压
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 楼主| 发表于 2014-7-15 15:41:29 | 显示全部楼层
谢谢大家的参与
刚又看了那5颗漏电的芯片的仅在VDD与VSS之间加电压(3V~5V)时的PAD1电压,
没有发现规律,电压在0~0.7V之间不定。PM1和NM1栅极应该没有被击穿。
可能是芯片里面的其它部分在打ESD时漏电了,继续排查……
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 楼主| 发表于 2014-7-15 15:47:10 | 显示全部楼层
而且这5颗漏电芯片在测漏电(即仅在VDD和VSS之间加2~5V可调电压)时,
当VDD从3V降到2V左右时,
漏电流从160uA突变到500uA,
然后再将VDD调回3V时,漏电流变为800uA(不是先前的194uA了),
电压VDD调到5V时,漏电流为1300uA,但是不能稳定住这个电流(过一会就又回到537uA了)
而且5颗漏电芯片都出现了大致相类似的症状!怪异啊
现象
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