diode BV问题

tlmlbr · 发表于 2024-4-30 11:45:14

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

我们知道1.8/5V工艺里，5V的器件要加thick oxide层，一般5V的器件耐压应该高于1.8V器件的耐压。但是，fab的技术文档看到5V的diode BV比1.8V的diode 要高。像TSMC18，ndio（no thick oxide）BV=11.25，ndio_5 （with thick oxide）BV=8.61。无独有偶，其他工艺也有类似的数值。为什么呢？1.8V的diode，BV这么高，天线效应怎么保护1.8V的器件？

tlmlbr · 发表于 2024-5-7 21:06:00

李幕白发表于 2024-5-1 14:02
另外，关于您的问题中，有错误的字眼，影响阅读理解
我们知道1.8/5V工艺里，5V的器件要加thick oxide层，一 ...

非常感谢您的指正以及分析！

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] diode BV问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

浏览过的版块

站长推荐 /1