反型层的电子来自哪里？？

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反型层的载流子从源漏端来。可以考虑如果没有源漏端，只有一个metal-oxide-semi的结构的话，电极加偏压，表面的载流子是半导体的少子，形成速度慢，一般情况下10^-3s。这也是为什么C-V曲线为什么在高频下不会反弹的原因，因为来不及形成反型层。而实际的mosfet的工作频率完全可以超过Khz，Mhz。从这一点可以说明反型层的载流子不是从衬底来，而是从源漏来。