感觉天线效应中的向下跳线法没什么作用，求大神指点？

aaa89

回复 10# happy0123


   就是，这才是重点了

silencez1

添加二极管形成泄放回路，具体的操作 是将二极管怎么连接，一端连接栅极，另一端连接衬底吗

silencez1

genehuang 发表于 2018-5-6 11:10
向下跳很难，因为算上层金属的天线效应比例时会加下层金属，这里有一个比例的问题。通常向下跳很难解决问题 ...

所使用的天线效应比例 具体指的是什么 求大神指点 在学校的时候 没有学过这个比例问题 只是简单地知道向上跳线法，

不会水的鱼

楼上正确

长安归故里

向下跳线是不是相当于把原本走线很长的金属切断，类似加缓冲器的方法，我是这样理解的。
当然肯定是采取向上跳线法好。

永久的思念

111111

LXS13225665126

个人理解，不对请更正。向下跳线虽然能过DRC，但是没有解决实际问题，工艺是从下往上制造的，如果一层产生了电荷的积累，如果往上跳线，此时上层可以看作是干净的可以分担一些电荷，而往下层跳线，积累的电荷还是在金属线上，还是会有隐患吧。

AIIR

silencez1 发表于 2019-10-21 08:00
添加二极管形成泄放回路，具体的操作 是将二极管怎么连接，一端连接栅极，另一端连接衬底吗
...

有专门的天线二极管。

silencez1

AIIR 发表于 2020-10-10 17:53
有专门的天线二极管。

没有实际添加过天线二极管，跟普通的二极管有很大区别吗

annyzer

狭义上讲，天线效应是金属上积累的电荷击穿栅氧化层，但本质其实是击穿了“绝缘层”。对于MOS管来讲，绝缘层是栅氧化物，天线效应通过向上跳线解决，但是对于MIM电容来说，绝缘层介于最高层和次高层金属之间，没有办法跳到更高层金属，此时为了避免天线效应击穿MIM的绝缘层，需要使用向下跳线法来解决MIM的天线效应。
SMIC的design rule中关于天线效应部分明确提到了“Antenna Ratio rules for GT”(gate)和“Antenna Ratio rules for MIM”(Metal-Insulator-Metal)。