LDO流片后电源抑制比下降很多，什么原因？

confiope · 发表于 2010-3-22 17:02:37

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作了一个LDO，仿真电源抑制比是[email=75db@1k]75db@1k[/email]
流片后，发现只有[email=50db@1k]50db@1k[/email]
请问这是什么原因造成的？
是用频谱分析仪测试的，
是电路、版图还是PCB版测试的问题？
请高手来解答！！

confiope · 发表于 2010-3-22 17:07:08

这个是不是有些太不正常了

gmc832002 · 发表于 2010-3-22 17:39:11

这个也正常，不是所有的器件模型都是那么准确，LDO的PSRR 在低频一般都是LDO环路增益的倒数，测试环路增益，对比一下，另外LDO的基准对PSRR影响很大，看LDO基准输出的-3db频率是多少，最好是小于1KHz,

confiope · 发表于 2010-3-23 08:58:41

这个也正常，不是所有的器件模型都是那么准确，LDO的PSRR 在低频一般都是LDO环路增益的倒数，测试环路增益，对比一下，另外LDO的基准对PSRR影响很大，看LDO基准输出的-3db频率是多少，最好是小于1KHz,
gmc832002 发表于 2010-3-22 17:39

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这里的模型确实不太准确，
用了BYPASS电容，因此基准的因素可以排除，
但是测试LDO的环路增益怎么测试呢，
仿真倒挺方便的！

confiope · 发表于 2010-3-23 10:40:55

ding yige

confiope · 发表于 2010-3-24 10:59:03

怎么实测LDO的直流增益阿？
请高手指点

ghifi37 · 发表于 2010-3-27 19:39:59

除非你用的Bypass电容是片外的，否则还是要考虑基准的抑制比

ic_designer · 发表于 2010-4-6 20:20:34

顶我也想知道

confiope · 发表于 2010-4-7 08:47:16

除非你用的Bypass电容是片外的，否则还是要考虑基准的抑制比
ghifi37 发表于 2010-3-27 19:39

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就是片外的

rfzheng · 发表于 2010-4-14 20:52:37

既然有bypas pin在外面，所以建议有两个1）测试基准电压在1Khz的PSRR，如果基准电压的PSRR已经低于60dB,那么多半基准电压受到了干扰，2）测试LDO的PSRR时，对于所加信号的地线要特别注意，所以需要重新检测PCB板地线，大电流线要分开走，不要同输入信号线同地线。

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