ESD附近短接地的MIM电容会影响latch up 么？

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-9 11:15:00

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如标题所示，我们在ESD保护环上加了一些短接到地的MIM电容，结果latch up 没过，然后然后将接地的电容悬空了，latch up 变好了。请问原理是什么？

maomao198477 · 发表于 2024-5-9 12:21:00

很好的案例，你可以尽量说更详细些

billgolden · 发表于 2024-5-9 14:37:29

能不能画个图，多大的电容。

gratwo · 发表于 2024-5-10 09:27:27

变化的电压，产生电容电流，这个电流流过寄生的电阻，引发了BJT工作，发生LU

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 10:12:19

gratwo 发表于 2024-5-10 09:27
变化的电压，产生电容电流，这个电流流过寄生的电阻，引发了BJT工作，发生LU ...

能仔细说一下么？电容是短接的啊，而且都是接地的，只有一个脚位在LU打负的时候就是会有问题

gratwo · 发表于 2024-5-10 10:32:19

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 10:12
能仔细说一下么？电容是短接的啊，而且都是接地的，只有一个脚位在LU打负的时候就是会有问题
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把MIM电容、和它旁边ESD结构、大致的版图布局发一下，就可以做个详细说明

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 11:49:12

gratwo 发表于 2024-5-10 10:32
把MIM电容、和它旁边ESD结构、大致的版图布局发一下，就可以做个详细说明

你好，图片就是局部版图和ESD的结构图，然后我还有一个问题，TSMC给的建议是ESD的外围N环是接vcc的，但是我们实测接地的时候HBM效果更好，请问原理是什么？但两圈n＋接地效果不如里面n＋接地外围n+接电源

霍比特美凌格 · 发表于 2024-5-10 11:52:19

gratwo 发表于 2024-5-10 10:32
把MIM电容、和它旁边ESD结构、大致的版图布局发一下，就可以做个详细说明

还有一个问题，两圈n＋电位具体怎么接？我们实测外围N+接VCC里面n+接地的效果好于两圈同时接VCC或者两圈同时接地

gratwo · 发表于 2024-5-10 14:06:09

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 11:52
还有一个问题，两圈n＋电位具体怎么接？我们实测外围N+接VCC里面n+接地的效果好于两圈同时接VCC或者两圈 ...

“ESD保护环上加了一些短接到地的MIM电容” -----这个没理解。 ESD保护环上加了电容、MIM两端短接到地？什么样的保护环？

gratwo · 发表于 2024-5-10 14:23:56

霍比特美凌格发表于 2024-5-10 11:52
还有一个问题，两圈n＋电位具体怎么接？我们实测外围N+接VCC里面n+接地的效果好于两圈同时接VCC或者两圈 ...

内圈N+是B吗？

[求助] ESD附近短接地的MIM电容会影响latch up 么？