GSMC eFlash控制器设计

xiyue_007 · 发表于 2016-8-25 13:06:54

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本帖最后由 xiyue_007 于 2016-8-25 13:24 编辑

目前基于GSMC的eFlash设计控制器。在eFlash的Datasheet上一些时序要求还不太明白，望高手解答(附件是DS)：

GSMC_FLA032K8HDA_DS.pdf (418.35 KB, 下载次数: 254 )

参照DS中第10页的table8和第12页的figure2：
  1. 最小TRC是30ns这个不难理解；
  2. 最大TAA是30ns，且没有标注最小值，怎么理解？是TAA不会不能大于30ns？但没有最小值限制么？
  3. 假设我CEb和OEb保持为低电平，那么假如我是想连续读，即在TRC之后变换另外一个地址，那么第2个有效数据是什么时候有效呢，是受TAA限  制还是仍然受TRC限制，即也要在等一个TRC时间才能采样数据？
  4. 第12页的figure2的Note1中关于CEb的翻转时间也没有，也没有说明这个CEb从低到高再到底的过程中高电平的最短时长是多少？

这个DS对时序的描述不是很详细，麻烦做过的专业人士解答。

我没逗你玩儿 · 发表于 2017-3-29 16:44:45

我最近也在写gsmc的eflashc，有一些问题，不知道能不能请教你

fanjx · 发表于 2018-8-21 17:58:42

好东西谢谢

fanjx · 发表于 2018-8-21 17:59:26

好东西谢谢

1234just4fun · 发表于 2018-12-19 06:06:49

谢谢, 谢谢

wuxin_ · 发表于 2021-12-1 14:44:25

学习一下

E.E.T.O.P · 发表于 2023-2-27 15:53:29

就是说如果要读数据，至少要等30ns才能把数据读出来


<a href='https://openx.eetop.cn/www/delivery/ck.php?n=a2726ef2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://openx.eetop.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=8&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a2726ef2' border='0' alt='' /></a>	<a href='https://openx.eetop.cn/www/delivery/ck.php?n=a32a6c7a&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://openx.eetop.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=5&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a32a6c7a' border='0' alt='' /></a>
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