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[活动] 每日一奖----20140507

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发表于 2014-5-7 10:44:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产
Q2. Why higher metal layers are preferred for Vdd and Vss?

最佳答案

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上面已经讲得很全了,在这里我再说说我的理解吧: 为什么VDD和VSS一定要走高层? 1、高层金属电阻小,IR-Drop小,这是电源网络最重要的指标。 2、芯片电源一般是从外部提供,电源管理芯片输出电源->到芯片电源引脚->芯片封装引线->芯片bad->高层金属->然后通过电源网络传递到每个标准单元。如果采用底层金属走VDD和VSS,那么为了保证IR-Drop没问题那么就可能需要大量的芯片电源引脚,而采用高层金属走VDD和VSS时需要的芯片电源引脚 ...
发表于 2014-5-7 10:44:15 | 显示全部楼层
上面已经讲得很全了,在这里我再说说我的理解吧:
为什么VDD和VSS一定要走高层?
1、高层金属电阻小,IR-Drop小,这是电源网络最重要的指标。
2、芯片电源一般是从外部提供,电源管理芯片输出电源->到芯片电源引脚->芯片封装引线->芯片bad->高层金属->然后通过电源网络传递到每个标准单元。如果采用底层金属走VDD和VSS,那么为了保证IR-Drop没问题那么就可能需要大量的芯片电源引脚,而采用高层金属走VDD和VSS时需要的芯片电源引脚才会最少。
3、如果高层走信号线,底层走VDD和VSS,那么信号线会很难布通。
4、加上上面讨论的。
发表于 2014-5-7 11:26:55 | 显示全部楼层
1) To reduce power network resistance, because sheet resistivity of higher metal layers  may be lower;2) To improve congestion, because most of std cell pins are of lower metal layers.
发表于 2014-5-7 21:02:54 | 显示全部楼层
chrisyl的回答第一条不错,第二条我觉得不太对。我再补充一条,高层金属受noise的影响小,用来走vdd、vss,对电源的稳定有好处吧。
发表于 2014-5-7 22:50:33 | 显示全部楼层
我觉得前面说的都挺有道理的,我补充一下
1、高层metal的厚度(比如top metal)较厚,同样宽度下允许流过的电流多;
2、通常高层metal rule较大,如果高层metal作为连线、底层metal作为VDD、VSS线,完全没办法走线的;
3、方块电阻较小(其实我猜也是因为厚度较大引起的),IR-drop较小
发表于 2014-5-8 09:00:54 | 显示全部楼层
回复 3# tigerguo66


   请教一下,为什么高层金属的noise影响小?
发表于 2014-5-8 14:55:55 | 显示全部楼层
top metal厚度大。
发表于 2014-5-8 15:08:17 | 显示全部楼层
回复 5# mnluan


    离sub远了
发表于 2014-5-9 09:19:30 | 显示全部楼层
回复 7# coffeeing520

谢谢,受教了。还有个疑问,stdcell自带的电源线一般都在M1层,这样来说,那边电源是不是就不稳定了?虽然用高层走电源线,但是最终到stdcell的电源轨还是离sub近。
发表于 2014-5-9 15:52:56 | 显示全部楼层
回复 8# mnluan

    应该来说每个stdcell都从高层Metal直接获得电源,而不从临近cell的M1获得,这样效果最好,但是这个基本不可能。
    再者高层Metal到stdcell的M1,如果受影响也是那一行的(noise影响也是区域性,从某一点干扰最强,到边上递减),而不影响其他;如果用M1,就全部传递了
    最后不是noise一干扰M1,电源就不稳定。只是尽量减少被干扰。
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