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楼主: nancy2408

[求助] ESD保护电路

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发表于 2012-8-24 17:48:25 | 显示全部楼层
研究下
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发表于 2012-8-26 15:35:58 | 显示全部楼层
回复 11# HeNavy


    我又有点犯贱了,看见别人说的,我就想说两句,让我自己来说,却又说不好。。
   个人觉得,这三个ESD保护电路有不同的用途,首先,第一个rc触发确实要考虑频率,但是楼主用这种保护电路是用于直流电源和地之间的,即power clamp。其次,第二幅图,是一种两级保护,一般用于输入电路。最后,第三幅图是用于输出电路,我问过我们的博士为什么只用了一个NMOS到vss的ESD保护,博士把我喷了,对我说“看书吧”,没给我解释,个人认为,有两种原因。1.上边PMOS尺寸大,有一定的自保护能力。处于这种考虑,PMOS的设计要考虑ESD性能。2.通过power clamp和下边的NMOS的ESD保护电路共同起作用来实现。个人偏向于后边的解释。因为第一幅图的的rc触发的power clamp如果效率足够强大,是可以只要下边NMOS保护电路。
   3幅图有不同的用途。至于楼主说要怎样画版图。。还是希望楼主看书吧。想要真正搞ESD就要自己学习。
    小弟也是初学者,希望能得到大神的指正。。
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 楼主| 发表于 2012-8-27 09:48:29 | 显示全部楼层
回复 13# qlmsdu


   你说的还真是,我做的是一款ROMC芯片,第一幅图是该芯片power的保护电路,第二幅是该芯片的输入保护,第三幅是输出保护。但我就是不知道它是如何保护的!
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发表于 2012-9-23 20:57:22 | 显示全部楼层
我只总体说一下,这属于ESD的公司机密
这里面除了 常规的GGNMOS 保护之外,还有二级保护,就是除了GGMOS以外, 宽长比很大的管子(我公司有2种接法,分别是BUFFER,SWITCH(也就是TG门)。
这些都叫ESD电路,由GGNOMS(对外合对内放电2种模式) ESD电阻 二级ESD电路组成。这些都属于大公司ESD部门去做,跟版图没多大关系。知道了对版图也没多大作用,跟我公司的大差不差。
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发表于 2012-9-26 20:29:27 | 显示全部楼层
很感谢!明白了一些
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发表于 2012-9-28 00:10:25 | 显示全部楼层
这个好基础呀,我还是太菜了
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发表于 2012-9-28 13:40:57 | 显示全部楼层
回复 1# nancy2408
图1 4楼已经把原理讲了,这种esd电路的Vt1比GGNMOS低一些,可以通过调整前面的rc控制放电的时间和Vt1,Layout的时候把重点放在后面的nmos上面,这个nnmos要follow foundry的rule,同时注意金属线宽,这个esd电路在布局的时候比较随意一些,因为这个esd的导通均匀性比ggnmos好

图2 这是一个带有二级保护的esd电路,其实对于输入端而言用gcmos加一个隔离电阻足以进行HBM的esd防护,但是你们的designer加入二级保护,个人认为主要用于对CDM模式下的esd防护,所以图中标明两个diode要和后面的inverter的放在同一个well里面

图3 输出端只挂了一个GCNMOS,同时看到图中表明输出p/nmos要做成esd管,nmos有snapback特性,所以导通均匀性差,那么你们的designer比较保守,通过在后面挂一个gcnmos来保护输出nmos,但是pmos因为没有snapback特性,所以pmos自身具有一定的esd防护能力

其实楼主的designer在esd方面也是很有功力的,这么好的机会好好把握

拙见而已,欢迎指正,谢谢
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发表于 2012-10-11 19:47:46 | 显示全部楼层
kkkkk
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发表于 2012-10-16 09:58:55 | 显示全部楼层
刚刚培训过 不过全忘了
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发表于 2012-10-19 12:45:31 | 显示全部楼层
three types of circuits.
1> between vdd and gnd, time based RC clamp circuit
2> input pad
3> output driver with non-overlap pre driver

all the gnd connected MOS will serve mainly using the body diode, with the drain
to gate distance longer than normal
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