FINFET为什么能抑制short channel effect啊？

lijie5992373 · 发表于 2019-5-17 16:59:18

bella427 发表于 2018-11-8 11:23
到底是怎么样的啊？

HKMG工艺是high k and metal gate的意思，和poly sion工艺的差别在于两个：1. 栅极介质层： SION-->HK(高介电常数材料， HFO)
2. 栅极电极层：多晶硅-->AL
前面大佬们讲了一直在增强gate对channel的控制力，所以Gate oxide在不停变薄，但是不能一直变薄下去，1.隧道效应2.poly depletion这时候EOT已经降不下去了，所以开发出HK 材料来做栅极介质层. HK不会有poly depletion, 所以可以稍微厚一点，制程也好control.
Finfet工艺的时候因为HKMG的引入，沟道表面的漏电很小了，主要的漏电来自于S/D与Well形成的PN结的漏电，这时候可以有两个方向SOI和Finfet. SOI在WELL下面长一层oxide，这个漏电就被掐死了，而finfet类似于从SION到HKMG的原理，channel的三个边都被gate包围了，所以gate对channel的控制力变强，你可以认为工作的时候，gate把channel的电子全都吸附到沟道表面了，没有电子在沟道下面给漏电流提供通路，这样漏电就小了。

wolfmike2020 · 发表于 2022-3-5 07:57:56

学习了，谢谢

xlteam2 · 发表于 2022-12-31 15:32:41

VERY GOOD

xp1992121 · 发表于 2023-2-28 17:23:54

平面，你可以理解为从上面按住水管，但下方会有较大的缝隙
3D，你可以理解为从三个方向捏住水管，只留下底部很小的缝隙

18800261604 · 发表于 2023-11-1 11:06:08

看看

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